開關電源調試時最常見的10大問題
一、變壓器飽滿
變壓器飽滿現象：在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載，重載，容性負載)，輸出短路，動態負載，高溫等情況下，經過變壓器(和開關管)的電流呈非線性增長，當呈現此現象時，電流的峰值無法預知及操控，或許導致電流過應力和因此而產生的開關管過壓而損壞。
1、簡略產生飽滿的情況：
（1）變壓器感量太大；
（2）圈數太少；
（3）變壓器的飽滿電流點比IC的最大限流點小；
（4）沒有軟發動。
2、處理辦法：
（1）下降IC的限流點；
（2）加強軟發動，使經過變壓器的電流包絡更緩慢上升。
二、Vds過高
1、Vds的應力要求：
最惡劣條件(最高輸入電壓，負載最大，環境溫度最高，電源發動或短路測試)下，Vds的最大值不應超越額定規格的90%
2、Vds下降的辦法：
（1）減小渠道電壓：減小變壓器原副邊圈數比；
（2）減小尖峰電壓：
a、減小漏感：
變壓器漏感在開關管開通是存儲能量是產生這個尖峰電壓的首要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。
b、調整吸收電路：
①運用TVS管；
②運用較慢速的二極管，其本身可以吸收必定的能量(尖峰)；
③刺進阻尼電阻可以使得波形愈加平滑，利于減小EMI。
三、IC溫度過高
原因及處理辦法：
1、內部的MOSFET損耗太大：
開關損耗太大，變壓器的寄生電容太大，形成MOSFET的開通、關斷電流與Vds的穿插面積大。處理辦法：添加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，好像繞組分多層繞制時，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣)。
2、散熱不良：
IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應盡量添加銅箔的面積并上更多的焊錫
3、IC周圍空氣溫度太高：
IC應處于空氣流動暢順的當地，應遠離零件溫度太高的零件。
四、空載、輕載不能發動
1、現象：
空載、輕載不能發動，Vcc重復從發動電壓和關斷電壓來回跳動。
2、原因：
空載、輕載時，Vcc繞組的感應電壓太低，而進入重復重發動狀況。
3、處理辦法：
添加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻，恰當加上假負載。假如添加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻后，重載時Vcc變得太高，請參照安穩Vcc的辦法。
五、發動后不能加重載
原因及處理辦法：
1、Vcc在重載時過高
重載時，Vcc繞組感應電壓較高，使Vcc過高并到達IC的OVP點時，將觸發IC的過壓維護，引起無輸出。假如電壓進一步升高，超越IC的承受能力，IC將會損壞。
2、內部限流被觸發
a、限流點太低
重載、容性負載時，假如限流點太低，流過MOSFET的電流被約束而缺乏，使得輸出缺乏。處理辦法是增大限流腳電阻，進步限流點。
b、電流上升斜率太大
上升斜率太大，電流的峰值會更大，簡略觸發內部限流維護。處理辦法是在不使變壓器飽滿的前提下進步感量。
六、待機輸入功率大
1、現象：
Vcc在空載、輕載時缺乏。這種情況會形成空載、輕載時輸入功率過高，輸出紋波過大。
2、原因：
輸入功率過高的原因是，Vcc缺乏時，IC進入重復發動狀況，頻繁的需求高壓給Vcc電容充電，形成起動電路損耗。假如發動腳與高壓間串有電阻，此刻電阻上功耗將較大，所以發動電阻的功率等級要足夠。電源IC未進入BurstMode或現已進入BurstMode，但Burst頻率太高，開關次數太多，開關損耗過大。
3、處理辦法：
調理反應參數，使得反應速度下降。
七、短路功率過大
1、現象：
輸出短路時，輸入功率太大，Vds過高。
2、原因：
輸出短路時，重復脈沖多，一起開關管電流峰值很大，形成輸入功率太大過大的開關管電流在漏感上存儲過大的能量，開關管關斷時引起Vds高。輸出短路時有兩種或許引起開關管中止作業：
（1）觸發OCP這種辦法可以使開關動作當即中止
a、觸發反應腳的OCP；
b、開關動作中止；
c、Vcc下降到IC封閉電壓；
d、Vcc從頭上升到IC發動電壓，而從頭發動。
（2）觸發內部限流
這種辦法產生時，約束可占空比，依靠Vcc下降到UVLO下限而中止開關動作，而Vcc下降的時刻較長，即開關動作堅持較長時刻，輸入功率將較大。
a、觸發內部限流，占空比受限；
b、Vcc下降到IC封閉電壓；
c、開關動作中止；
d、Vcc從頭上升到IC發動電壓，而從頭發動。
3、處理辦法：
（1）削減電流脈沖數，使輸出短路時觸發反應腳的OCP，可以使開關動作敏捷中止作業，電流脈沖數將變少。這意味著短路產生時，反應腳的電壓應該更快的上升。所以反應腳的電容不行太大；
（2）減小峰值電流。
八、空載，輕載輸出紋波過大
1、現象：
Vcc在空載或輕載時缺乏。
（1）原因：
Vcc缺乏時，在發動電壓(如12V)和關斷電壓(如8V)之間振動IC在周期較長的間歇作業，短時刻供給能量到輸出，接著中止作業較長的時刻，使得電容存儲的能量缺乏以堅持輸出安穩，輸出電壓將會下降。
（2）處理辦法：
確保任何負載條件下，Vcc可以安穩供應。
2、現象：
BurstMode時，間歇作業的頻率太低，此頻率太低，輸出電容的能量不能堅持安穩。
處理辦法：
在滿足待機功耗要求的條件下稍微進步間歇作業的頻率，增大輸出電容。
九、重載、容性負載不能發動
1、現象：
輕載可以發動，發動后也可以加重載，可是重載或大容性負載情況下不能發動。
2、一般規劃要求：
無論重載還是容性負載(如10000uF)，輸入電壓最低還是最低，20mS內，輸出電壓必須上升到安穩值。
3、原因及處理辦法(確保Vcc在正常作業規模內的前提下)：
下面以容性負載C=10000uF為例進行剖析，按規格要求，必須有足夠的能量使輸出在20mS內上升到安穩的輸出電壓(如5V)。
E=0.5*C*V^2
電容C越大，需求在20mS內從輸入傳輸到輸出的能量更大。
以芯片FSQ0170RNA為例陰影部分總面積S便是所需的能量。要添加面積S，辦法是：
（1）增大峰值電流限流點I_limit，可答應流過更大電感電流Id：將與Pin4相接的電阻增大，從內部電流源Ifb分流更小，使作為電流約束參考電壓的PWM比較器正輸入端的電壓將上升，即答應更大的電流轉過MOSFET/變壓器，可以供給更大的能量。
（2）發動時，添加傳遞能量的時刻，即延伸Vfb的上升時刻(抵達OCP維護點前)。
對這款FSQ0170RNA芯片，電感電流操控是以Vfb為參考電壓的，Vfb電壓的波形與電感電流的包絡成正比。操控Vfb的上升時刻即可操控電感包絡的上升時刻，即添加傳遞能量的時刻。IC的OCP功能是檢測Vfb到達Vsd(如6V)完成的。所以要下降Vfb斜率，就可以延伸Vfb的上升時刻。輸出電壓未到達正常值時，假如反應腳電壓Vfb現已上升到維護點，傳遞能量時刻不夠。重載、容性負載發動時，輸出電壓樹立較慢，加到光耦電壓較低，經過光耦二極管的電流小，光耦光敏管高阻態(趨向關斷)的時刻較長。IC內部電流源給與反應腳相接的電容充電較快，假如Vfb在這段時刻內上升到維護點(如6V)，MOSFET將關斷。輸出不能到達正常值，發動失利。
處理辦法：
使輸出電壓到達正常值時，反應腳電壓Vfb依然小于維護點。使Vfb遠離維護點而緩慢上升，或延伸反應腳Vfb上升到維護點的時刻，即下降Vfb的上升斜率，使輸出有足夠的時刻上升到正常值。
A、增大反應電容(C9)，可以將Vfb的上升斜率下降，如圖所示，由D線變成A線。可是反應電容太大會影響正常作業狀況，下降反應速度，使輸出紋波變大。所以此電容不能變化太大。
B、因為A辦法有缺乏，將一個電容(C7)串連穩壓管(D6，3.3V)并聯到反應腳。此法不會影響正常作業，如B線所示，當Vfb<3.3V時，穩壓管不會導通，分流。上升3.3V時，穩壓管進入穩壓狀況，電容C7開端充電分流，減小后續Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并聯一個電容(C11)，電源發動時，C11電壓較低，并由光耦二極管和431的偏置電阻R10進行充電。這樣光耦就有較大電流轉過，使光耦光敏管阻抗較低而分流，Vfb將緩慢上升，如C線所示。R10×C11影響充電時刻，也就影響輸出的上升時刻。
注意點：
①添加反應腳電容(包含穩壓管串電容)，對處理超大容性負載問題效果較小；
②增大峰值電流限流點I_limit，一起也添加了穩態下的OCP點。需求在容性負載，輸入最低情況下查看變壓器是否會飽滿；
③假如要堅持限流點，須使R10×C11更大，但在超大容性負載(10000uF)情況下，或許會添加5Vsb的上升時刻超越20mS，此法需求查看動態呼應是否受太大影響；
④431的偏置電阻R10太小，431并聯的C11要更大；
⑤為了確保上升時刻，增大OCP點和增大R10×C11辦法或許要一起運用。
十、空載、輕載輸出反跳
1、現象：
在輸出空載或輕載時，封閉輸入電壓，輸出(如5V)或許會呈現如下圖所示的電壓反跳的波形。
2、原因：
輸入關掉時，5V輸出將會下降，Vcc也跟著下降，IC中止作業，可是空載或輕載時，巨大的PC電源大電容電壓并不能快速下降，依然可以給高壓發動腳供給較大的電流使得IC從頭發動，5V又從頭輸出，反跳。
3、處理辦法：
在發動腳串入較大的限流電阻，使得大電容電壓下降到依然比較高的時候也缺乏以供給足夠的發動電流給IC。將發動接到整流橋前，發動不受大電容電壓影響。輸入電壓關斷時，發動腳電壓可以敏捷下降。
